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氣體腐蝕試驗的原理及作用

發(fā)布時間:2022-02-22 點擊量:2013

氣體腐蝕試驗的原理及作用

為了評價連接器、開關等接觸機構部件的長期可靠性,進行了各種環(huán)境試驗,我認為氣體腐蝕試驗特別適合這些評價。但是,氣體腐蝕測試標準有很多,很多問題是它們與實際環(huán)境相比有多少加速因子。

  我們可以在一定程度上(經(jīng)驗性的)談一談,但實際上如果說可以用數(shù)據(jù)來表達,這仍然是一個被拒絕的問題,而且可能還需要很長時間才能得出結論。
這是一個真實發(fā)生過的故事,但我聽到一個故事,例如“我之前進行的測試中沒有看到任何腐蝕,但是當我看到這次的測試結果時,腐蝕很嚴重,測試機器很奇怪。 “有件事。當然,腐蝕程度可能會根據(jù)測試罐中零件的設定條件而略有不同,但以下是較大的因素,我相信上述問題會增加。

即使在同一批次中,每個電鍍樣品的腐蝕外觀也不同。即使批次不同,生產(chǎn)日期相差幾個月,也是無比擬的。因此,重要的是認為當前的測試只是一個比較測試,氣體腐蝕測試作為質量控制的一部分是有用的,即使之前進行過也不會放松。自然環(huán)境中含有少量的各種氣體,根據(jù)位置的不同,可能存在相當高濃度的腐蝕性氣體。另外,如果被封印的對象有因素,就會失去封印的意義。

我一開始就寫了氣體腐蝕試驗適合評價,但是單一氣體和混合氣體的結果差別很大。 一般來說,硫化氫對銀和銅有很強的腐蝕性,建議使用
與水結合變成酸性的二氧化硫和二氧化氮進行鍍金。
然而,在實際環(huán)境中,氮氧化物、二氧化硫,雖然濃度相當?shù)停?/span>
存在硫化氫、氯氣、氨氣、甲醛等,它們是由周邊材料產(chǎn)生的。
因此,如果在充分了解單一氣體的影響后進行巴特爾標準等低濃度三類混合物測試,在一般自然環(huán)境中使用的再現(xiàn)性似乎特別出色。
但有些部位是在特殊條件下使用的,測試溫度可能很高,也可能濃度很高。
同時,由于接觸機構零件本來就是功能性零件,所以由于使用環(huán)境等特性,有的容易受到氣體的作用,有的則不會。因此,大家可以看到,對于這類零件的接觸可靠性討論加速因子并不是那么容易,但我想提一下,包括正在考慮在各個領域實施的案例。
首先,為了收集基礎數(shù)據(jù),一般來說,實際的零件安裝在室外和室內(nèi)等各個地方,至少要放置10年,而在此期間,要多次收集海量數(shù)據(jù)。 ,目前的情況是還沒有*成立。
(貝爾實驗室過去應該積累了大量的數(shù)據(jù),但我認為對世界的反饋很少。)由于接觸機構部件的特性,這是不可避免的。原因是即使采取一種接觸機制,也是非常敏感的。
例如,當試圖測量銅板的氣體腐蝕測試與接觸電阻之間的關系時,即使在幾個小時的氣體腐蝕測試中,該值也會非常接近峰值,甚至是純銀等樣品將測試氯氣。它在幾個小時內(nèi)也顯示出很高的值。
由于鍍金樣品的腐蝕部分不同,接觸機理的評估變得相當復雜。從這些方面來看,幾乎不可能制作出沒有變化的標準樣品。
事實上,在99.99999%純金板的表面可以看到銅和硫化銀,從接觸電阻的角度考慮將其作為標準樣品是有必要的。
此外,我們還有很多專有技術,例如是否可以在不破壞涂層的情況下用這些精細涂層測量接觸電阻評估。
這是一個可以在一定程度上量化的樣本,但當涉及到實際產(chǎn)品時,情況就變得更加復雜了。似乎氣體腐蝕的影響會因結構、材料、變化等而發(fā)生很大變化,并且很難捕捉到與實際零件的接觸電阻的變化。

首先是表示氣體濃度(H2S)、膜厚和放置時間之間關系的圖表,但如果認為濃度高,膜厚會按比例增加是錯誤的。此外,在低濃度下緩慢形成的膜和在高濃度下快速形成的膜之間存在接觸電阻差異。
并且單一氣體和多種混合氣體之間存在相當大的差異。
接下來,用高靈敏度天平測量預處理后確定的金屬件的重量,顯示腐蝕重量變化的圖表(2)。被仔細檢查。
然而,在導致鹽形成的測試條件下,這種關系可能難以理解。

 
 
圖表3表示通過膜厚評價加速試驗和現(xiàn)場試驗的相關性的結果。
當然,現(xiàn)場數(shù)據(jù)差異很大,其原因是
1- 因地點而異的濕度差異, 2- 大氣中硫化氫濃度的差異,
3- 溫度差異, 4- 其他氣體和灰塵的混合物,
5-樣品表面的狀況、初始表面的清潔度、6-樣品的純度(Cu和Fe的混合物)、
7-是否暴露在光線下等。
由該數(shù)據(jù)可知,以濕度75%RH、硫化氫濃度0.01ppm的條件作為現(xiàn)場數(shù)據(jù),
進行硫化氫15ppm的加速試驗時的加速率如下。
即假設膜厚為300 ?,15 ppmH2S需要100小時,0.01 ppm需要1000小時,所以
如果簡單考慮這個比例只有10,而且膜對于實際零件的破壞性很大. 這不能是一個嚴酷的考驗。


 

最后,通過幾乎不破壞薄膜的方法捕獲由混合氣體引起的接觸電阻的數(shù)據(jù)顯示在最終圖表 4 中。
 


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